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SI4906DY-T1-E3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI4906DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S)
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
21+ |
SOP |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
8-SO |
38550 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP |
860000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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VISHAY/威世 |
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SOP-8 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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SOP-8 |
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VBsemi |
21+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
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VISHAY |
25+ |
模块 |
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