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SI3477DV

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switch • DC/DC converters

文件:226.04 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3477DV-T1-GE3

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • PWM optimized • 100 Rg tested • Material categorization:    for definitions of compliance please see    www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switch • DC/DC converters

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3477DV-T1-GE3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch

文件:1.0007 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3477DV_V01

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

文件:257.329 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3477DV-T1-GE3

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

文件:257.329 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si3477DV

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SI3477

  • 功能描述:

    MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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更多SI3477供应商 更新时间2025-11-3 14:13:00