| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SI2324 | MOS场效应管 | Yenji 台湾元基 | Yenji | |
SI2324 | MOSFET | JGSEMI 台湾金锆 | JGSEMI | |
SI2324 | MOSFETS | MCC 美微科 | MCC | |
N-Channel Enhancement MOSFET 文件：2.30638 Mbytes 页数：6 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：192.38 Kbytes 页数：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：210.59 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：210.59 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
N-Channel MOSFET 文件：2.31833 Mbytes 页数：6 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
N-Channel MOSFET 文件：2.32922 Mbytes 页数：6 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.08344 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- Polarity：
N-Channel
- Drain-Source Voltage VDS (V)：
100
- Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
- Drain Current IDMAX (A)：
2.0
- Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.234
- Input Capacitance CISSMAX (pF)：
190
- Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
1.2
- Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
2.8
- Package Qty：
Tape
- FIT：
30; Tj=100℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+23+ |
SOT-23 |
27428 |
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VISHAY |
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N/A |
90000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOT-23 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MCC/美微科 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
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VISHAY |
24+ |
SOT-23 |
210000 |
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VISHAY |
17+ |
SOT23 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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VISHAY |
23+ |
SOT23 |
8650 |
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VISHAY |
2011+PB |
SOT-23 |
200000 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
20+ |
SOT-23-3 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
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更新时间2025-11-3 16:50:00
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