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SI2311	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立器件	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
SI2311DS-T1-GE3	文件：465.52 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.52 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI2311DS	文件：41.72 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：41.72 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI2311DS-T1-E3	文件：214.3 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：214.3 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
Si2311DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

封装形式：
SOT-23
沟道类型：
P
漏源电压：
-8
栅源电压：
-8
连续漏极电流：
-3
漏源导通电阻：
0.045
栅极阈值电压（最小）：
-0.45
栅极阈值电压（最大）：
-0.8
耗散功率：
710

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