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SI1539CDL-T1-GE3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • DC/DC converter • Load switch

文件:280.18 Kbytes 页数:16 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI1539CDL-T1-GE3

N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.95894 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI1865DDL-T1-GE3

SC70-6

VishayVishay Siliconix

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SI1869DH-T1-E3

SC70-6

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市创博伟业科技有限公司

SI2166-D60-GM

QFN-48

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI1539CDL-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI1539CDL-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-9 18:59:00