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SI1401EDH-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.06038 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI1401EDH-T1-GE3

SC-70-6(SOT-363)

VISHAY/威世

SI1865DDL-T1-GE3

SC70-6

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市振鑫微电子科技有限公司

SI1869DH-T1-E3

SC70-6

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市创博伟业科技有限公司

SI2166-D60-GM

QFN-48

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI1401EDH-T1

  • 功能描述:

    MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI1401EDH-T1供应商 更新时间2025-11-2 9:11:00