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SH8M14 | 4V Drive Nch Pch MOSFET 4VDriveNch+PchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Highpowerpackage(SOP8). 3)Lowvoltagedrive(4Vdrive). Application Switching Structure SiliconN-channelMOSFET/ SiliconP-channelMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
SH8M14 | 4V Drive Nch+Pch MOSFET; ・4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET\n; 电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
6600WTransientVoltageSuppressorsFamily | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
6600WTransientVoltageSuppressorsFamily | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
ROHM/罗姆 | ROHM/罗姆 相关企业:佛山市芯光达科技有限公司 | ROHM/罗姆 |
技术参数
- Package Code:
SOP8
- Package Size[mm]:
5.0x6.0(t=1.75)
- Applications:
Switching
- Number of terminal:
8
- Polarity:
Nch+Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]:
30
- Drain Current ID[A]:
9.0
- RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.):
0.019
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.):
0.018
- RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.):
0.015
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):
0.019
- Total gate charge Qg[nC]:
8.5
- Power Dissipation (PD)[W]:
2.0
- Mounting Style:
Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]:
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]:
150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SOP-8 |
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SOP8 |
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50000 |
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SOP8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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ROHM/罗姆 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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