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SGT40N60FD2P7

绝缘栅双极型晶体管

SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。 • 40A, 600V, VCE(sat) =1.8V@IC=40A\n• 低导通损耗\n• 超快开关速度\n• 高输入阻抗;

Silan

士兰微

SGT40N60FD2PN

绝缘栅双极型晶体管

SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。 • 40A, 600V, VCE(sat) =1.8V@IC=40A\n• 低导通损耗\n• 超快开关速度\n• 高输入阻抗;

Silan

士兰微

SGT40N60FD2PT

绝缘栅双极型晶体管

SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。 • 40A, 600V, VCE(sat) =1.8V@IC=40A\n• 低导通损耗\n• 超快开关速度\n• 高输入阻抗;

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士兰微

SGT40N60NPFDPN

丝印:40N60NPFD;Package:TO-3P;40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

文件:437.8 Kbytes 页数:6 Pages

SILAN

士兰微

技术参数

  • Type:

    IGBT+Diode

  • Package:

    TO-3PN

  • BVce (V):

    600

  • Ic (A) Tc=100℃:

    40

  • Vge (th) (V):

    4.00~6.50

  • Vce (sat) typ (V) Tc=25℃:

    1.8

  • Vce (sat) max (V) Tc=25℃:

    2.7

  • Vfm typ (V)Tc=25℃:

    1.9

  • Vfm max (V)Tc=25℃:

    2.6

  • Trr typ (ns)Tc=25℃:

    32

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