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SGR2N60UFD	文件：538.54 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Fast IGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGR2N60UFDTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 2.4A 25W DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SGU2N60UF	文件：493.05 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGU2N60UFD	文件：536.61 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIF2N60D	文件：314.95 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SIF2N60F	文件：616.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SLD2N60UZ	文件：916.02 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF2N60UZ	文件：1.04304 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLP2N60UZ	文件：1.04304 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI

详细参数

型号：
SGR2N60UFD
功能描述：
IGBT 晶体管
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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