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SG100N03S	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel Power MOSFET	Silicongear 绿星电子	Silicongear
STD100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description This MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronic unique “Single Feature Size™” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical aligment steps therefore 文件：240.65 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SW100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channel MOSFET General Description This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWIN semiconductor’s advanced planar stripe, DMOS technology intended for battery Operated systems like a DC-DC converter motor control , ups ,audio amplifier. Also, especially designed to minimize RDS(ON) 文件：509.06 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SWB100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channel MOSFET General Description This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWIN semiconductor’s advanced planar stripe, DMOS technology intended for battery Operated systems like a DC-DC converter motor control , ups ,audio amplifier. Also, especially designed to minimize RDS(ON) 文件：509.06 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

技术参数

Polarity：
N
Cfg：
Single
ESD(Y/N)：
No
VDS(V)：
100
VGS(+/-V)：
±20
VGS(TH)_(min.V)：
1.2
VGS(TH)_(typ.V)：
1.8
VGS(TH)_(max.V)：
2.5
RDS(ON)@VGS=10V(typ. mΩ)：
18(23)
RDS(ON)@VGS=4.5V(typ. mΩ)：
22(28.5)
ID@TA=25°C(A)：
9.8
ID@TA=70°C(A)：
7.9
Ciss(pF)：
1325
Coss(pF)：
110
Crss(pF)：
64
Qg@VGS=10V(nC)：
34
Qgs(nC)：
6
Qgd(nC)：
9

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