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SFS9610	文件：247 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -200V ■ Low RDS(ON) : 2.25 Ω (Typ.) 文件：247 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SFS9610	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFWI9610	文件：251.41 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：251.41 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SIHF9610	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220 p 文件：1.64409 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiHF9610	文件：271.64 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：271.64 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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更多SFS9610供应商更新时间2025-11-20 14:59:00