1.6 A, 100 V Silicon Controlled Rectifier

• Low-Level Gate Characteristics\n• IGT = 200 μA (Max) @ 25°C\n• Low Holding Current IH = 1 mA (Max) @ 25°C\n• Anode Common to Case\n• Hermetically Sealed;

SSDI

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

文件：111.78 Kbytes 页数：2 Pages

SSDI

1MHz, Quad, General Purpose CMOS Operational Amplifier

文件：409.85 Kbytes 页数：13 Pages

SGMICROSG Micro Corp

圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司

1MHz, Quad, General Purpose CMOS Operational Amplifier

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