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B520C	文件：332.401 Kbytes Page：2 Pages	5A20VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
B520C	文件：97.39 Kbytes Page：4 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
SFH520	文件：102.87 Kbytes Page：2 Pages	慣-棺-款-Strahlungsdetektoren慣-棺-款-RadiationDetectors Features Substrate:4600±1400Ωcm Chipthickness:381±15µm Topside:Aluminiumcontact1.4µm Aluminiumtotalcover0.1µm Backside:0.4µmAu/As ●Lowdarkcurrent ●Lowcapacitance ●Highbreakdownvoltag	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SFH520A	文件：102.87 Kbytes Page：2 Pages	慣-棺-款-Strahlungsdetektoren慣-棺-款-RadiationDetectors Features Substrate:4600±1400Ωcm Chipthickness:381±15µm Topside:Aluminiumcontact1.4µm Aluminiumtotalcover0.1µm Backside:0.4µmAu/As ●Lowdarkcurrent ●Lowcapacitance ●Highbreakdownvoltag	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SGPD520S	文件：240.16 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifier	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
SIHF520	文件：135.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF520	文件：282 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI520G	文件：319.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFI520G	文件：1.62794 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL520	文件：1.02845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL520	文件：1.16179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •Logic-LevelGateDrive •RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL520	文件：1.040849 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SiHL520	文件：1.16464 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHL520L	文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL520L	文件：241.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIHL520L	文件：334.57 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL520S	文件：924.93 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHLI520G	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多SFF520供应商更新时间2024-6-12 9:50:00

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