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SE6003C中文资料MOS(场效应管)数据手册SINO-IC规格书

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厂商型号

SE6003C

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

SINO-IC SINO-IC Microelectronic Co., Ltd.

中文名称

光宇睿芯微 上海光宇睿芯微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-12 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SE6003C

  • 生产厂家

    :SINO-IC

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)

    :3A

  • 栅源极阈值电压

    :2.5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻

    :100mΩ @ 3A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C)

    :1.7W

  • 类型

    :N沟道

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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