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SD2012	文件：217.12 Kbytes Page：2 Pages	Discrete Diodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SEF-2012	文件：314.09 Kbytes Page：2 Pages	MultilayerChipLCFilters	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
SER2012	文件：163.57 Kbytes Page：4 Pages	ShieldedPowerInductor??SER2000	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
SFH2012A	文件：76.16 Kbytes Page：2 Pages	FIBEROPTICPINPHOTODIODE FIBEROPTICPINPHOTODIODE	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SFT2012	文件：106.69 Kbytes Page：2 Pages	200AMP100-140VOLTSNPNTRANSISTOR 200AMP100–140VOLTSNPNTRANSISTOR Features: •BV(CBO)=250Voltsminimum •600WPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighRelConstructionincludingGoldEutecticDieMounting,AluminumWiring •PlanarChipConstructionwithLowLeakage	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFT2012	文件：280 Kbytes Page：6 Pages	HIGHENERCYNPNTRANSISTOR [SSDI] 2N5094AND2N5096 HIGHVOLTAGEPNPTRANSISTOR450-500VOLTS SFT2010,SFT2012,SFT2014 200AMPHIGHENERGYNPNTRANSISTORVCEO100,120,140VOLTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SFT2012	文件：105.95 Kbytes Page：2 Pages	HighEnergyNPNTransistor 200AMP100–140VoltHighEnergyNPNTransistor Features: •BVCBO=250VMIN •600WattsPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighReliabilityConstruction •PlanarChipConstructionwithLowLeakageandVeryFastSwitching •TX,TXV,S-Leve	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SG2012	文件：534.33 Kbytes Page：9 Pages	400mA,LowPower,LowDropout,LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSG2012low-power,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto400mA.Theyareperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications.Anultralowgroundcurrent(120µAat400mAoutput)makesthemattractiveforbatteryo	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SG2012	文件：98.49 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2012	文件：194.27 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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