SD1224分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SD1224 |
| 参数属性 | SD1224 封装/外壳为M135；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| 封装外壳 | M135 |
| 文件大小 |
94.99 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 16:04:00 |
| 人工找货 | SD1224价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD1224规格书详情
SD1224属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美公司制造生产的SD1224晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The SD1224 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground station transmitters. This device utilizes ballasted emitter resistors and improved metallization systems to achieve optimum load mismatch capability.
KEY FEATURES
▪ 175 MHz
▪ 28 Volts
▪ Class C
▪ Common Emitter
▪ Efficiency 60 Min.
▪ POUT = 40 W Min.
▪ GP = 7.6 dB Gain
APPLICAITONS/BENEFITS
▪ VHF FM Applications
产品属性
更多- 产品编号：
SD1224
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 增益：
7.6dB
- 功率 - 最大值：
60W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M135
- 供应商器件封装：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MSC |
24+ |
SMD |
1 |
询价 | |||
ST |
24+ |
MODULE |
1020 |
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询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
M135 |
38550 |
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ST |
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原厂原封 |
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ST |
23+ |
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ST |
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