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SD103BWS	文件：201.24 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES Low Forward Voltage Drop Guard Ring Construction for Transient Protection Negligible Reverse Recovery Time Low Reverse Capacitance 文件：201.24 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
SD103BWS	文件：369.53 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Diodes SCHOTTKY DIODES Features: Low forward voltage; Ring protection structure provides transient protection; Minimal recovery time; Very small reverse capacitance; Applications: High-speed switching circuit. 文件：369.53 Kbytes 页数：2 Pages	SHENZHENSLS 三联盛	SHENZHENSLS
SD103BWS	文件：642.2 Kbytes Page：3 Pages	丝印：S5；Schottky Barrier Diode FEATURES • Guard Ring Construction for Transient Protection • Negligible Reverse Recovery Time • Low Capacitance • Low Forward Voltage Drop 文件：642.2 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
SD103BWS	文件：298.43 Kbytes Page：3 Pages	丝印：S4；Package：SOD-323；Surface Mount Schottky Barrier Diodes Features • Low Forward Voltage 文件：298.43 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
SD103BWS	文件：827.01 Kbytes Page：3 Pages	丝印：S5；Package：SOD-323；Schottky Barrier Diode FEATURES ● Low Forward Voltage Drop. ● Guard Ring Construction For Transient Protection. ● Negligible Reverse Recovery Time. ● Low Reverse Capacitance. APPLICATIONS ● Schotty barrier switching. 文件：827.01 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SD103BWS	文件：142.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES Features ● Low Forward Voltage Drop ● Guard Ring Construction for Transient Protection ● Negligible Reverse Recovery Time ● Low Reverse Capacitance 文件：142.24 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
SD103BWS	文件：810.27 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES FEATURES ♦ Low forward voltage drop ♦ Guard ring construction for transient protection ♦ Negligible reverse recovery time ♦ low reverse capacitance 文件：810.27 Kbytes 页数：2 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
SD103BWS	文件：241.08 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ● Low Forward Voltage Drop. ● Guard Ring Construction For Transient Protection. ● Negligible Reverse Recovery Time. ● Low Reverse Capacitance. APPLICATIONS ● Schotty barrier switching 文件：241.08 Kbytes 页数：3 Pages	DSK	DSK
SD103BWS	文件：65.209 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES FEATURES ● Low Forward Voltage Drop ● Guard Ring Construction For Transient Protection ● Negligible Reverse Recovery Time ● Low Reverse Capacitance APPLICATIONS ● Schotty barrier switching 文件：65.209 Kbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
SD103BWS	文件：316.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ● Low Forward Voltage Drop ● Guard Ring Construction For Transient Protection ● Negligible Reverse Recovery Time ● Low Reverse Capacitance APPLICATIONS ● Schotty barrier switching 文件：316.12 Kbytes 页数：3 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA

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产品属性

产品编号：
SD103B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
350mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
50pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35

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