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SCT2280KEHR

丝印:SCT2280KE;Package:TO-247N;Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET

文件:1.03444 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

SCT2280

18V Vin,8A,高效率同步降压DCDC转换器

SCT2280是一款高效同步降压DC-DC转换器,输入电压范围为4.5V-18V,输出电压可调至0.6V。提供了节省面积的2mmx3mm的QFN封装,可提供连续8A的输出电流。该器件完全集成了高边和低边功率MOSFET,导通电阻为25mΩ/12mΩ,以最大限度地减少传导损耗。\n\nSCT2280采用恒定导通时间(COT)控制,具有快速瞬态响应和环路稳定的优点。工作频率400KHz、800KHz和1.2MHz可选,以优化滤波器尺寸和输出电压纹波。该产品内置1mS的固定软启动时间,以防止输出电压斜坡启动期间的浪涌电流。具有PG功能,表明输出电压是否在规定范围内。SCT2280具有MODE引脚选择 • 宽输入电压范围:4.5V-18V\n• 8A连续输出电流\n• 固定1mS软启动时间\n• 可选PFM,USM和FCCM的工作模式\n• 输出过压保护\n• 2mmx3mm的QFN-12L 封装;

SCT

芯洲

SCT

SCT2280KE

N-channel SiC power MOSFET

文件:787.34 Kbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

SCT2280KE

SiC(碳化硅)MOSFET

基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

SCT2280KEHR

1200V, 14A, THD, 车载用SiC-MOSFET

采用SiC材质的平面型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点,是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Qualified to AEC-Q101;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-247N

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    280

  • Generation:

    2nd Gen (Planar)

  • Drain Current[A]:

    14

  • Total Power Dissipation[W]:

    108

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多SCT2280供应商 更新时间2025-11-15 12:01:00