SiC Schottky Barrier Diode

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罗姆

SiC Schottky Barrier Diode

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罗姆

丝印：SCS230KE2；Package：TO-247N；Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode

Features 1) AEC-Q101 qualified 3) Negligible recovery time/current 2) Low forward voltage 4) Temperature independent switching behavior Applications ・On Board Charger ・DC/DC Converter ・Wireless Charger ・EV Charger

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丝印：SCS230KE2A；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode

Features 1) Shorter recovery time 2) Reduced temperature dependence 3) High-speed switching possible

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SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管

可降低开关损耗，可高速开关。 3pin封装。 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;

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SiC Schottky Barrier Diode

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Silicon carbide Schottky Barrier Diode for Automotive

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;

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1200V, 30A, 3端子THD, 车载用 SiC肖特基势垒二极管

可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装\n\n SiC支持页面\n\n评估板, 文档 应用实例介绍\n\n罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件？\n\n电子小知识#banner-area a:link {text-decoration: none !important;}#banner-area a {width: 160px;padding: 4px;margin: 5px 2px;text-align: center;font-size: 9px;color: #464646 !important;line-height: 200%;border-radius: 3px;po • AEC-Q101 qualified\n• Low forward voltage\n• Negligible recovery time/current\n• Temperature independent switching behavior;

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Package：TO-247-3；包装：托盘 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Rohm Semiconductor

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：1200V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-C

Rohm Semiconductor