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SCS110KE2

SiC Schottky Barrier Diode

Features 1)Shorterrecoverytime 2)Reducedtemperaturedependence 3)High-speedswitchingpossible Construction Siliconcarbideepitaxialplanertype

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS110KE2C

DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247;

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

技术参数

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    1200V

  • 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):

    5A

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    1.75V @ 5A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 反向恢复时间(trr):

    0ns

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    100µA @ 1200V

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SCS110KE2供应商 更新时间2025-7-29 15:01:00