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SCS210AN	文件：992.17 Kbytes Page：10 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Widecreepagedistance=min.5.10mm Applications ・FactoryAutomation ・EVChargerStation ・PVPowerConditioner ・WirelessCharger	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210ANHR	文件：1.1247 Mbytes Page：10 Pages	AutomotiveGradeSiCSchottkyBarrierDiode Features 5)Widecreepagedistance=min.5.10mm 3)Negligiblerecoverytime/current 2)Lowforwardvoltage 4)Temperatureindependentswitchingbehavior 1)AEC-Q101qualified Applications ・OnBoardCharger ・EVCharger ・DC/DCConverter ・WirelessCharger	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210KG	文件：975.81 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210KGHR	文件：558.24 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210KGHR	文件：975.85 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210KN	文件：1.02095 Mbytes Page：10 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features 1)Lowforwardvoltage 2)Negligiblerecoverytime/current 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 4)Widecreepagedistance=min.5.10mm Applications ・FactoryAutomation ・PVPowerConditioner ・WirelessCharger ・EVChargerStation	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS210KNHR	文件：3.62184 Mbytes Page：10 Pages	AutomotiveGradeSiCSchottkyBarrierDiode Features 5)Widecreepagedistance=min.5.10mm 3)Negligiblerecoverytime/current 2)Lowforwardvoltage 4)Temperatureindependentswitchingbehavior 1)AEC-Q101qualified Applications ・OnBoardCharger ・EVCharger ・DC/DCConverter ・WirelessCharger	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD210	文件：29.74 Kbytes Page：2 Pages	High-SpeedAnalogN-ChannelDMOSFETs DESCRIPTION TheCalogicSD210isa30Vanalogswitchdriverwithoutabuilt-inprotectiondiodefromgatetosubstrateforusewithSD212andSD214DMOSanalogswitches. FEATURES •HighInputtoOutputIsolation................120dB •LowOnResistance...........	Calogic Calogic, LLC	Calogic
SD210	文件：149.77 Kbytes Page：2 Pages	High-SpeedAnalogN-ChannelDMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SD210DE	文件：357.2 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDDMOSFETANALOGSWITCHESANDSWITCHARRAYS Description TheSD210DE/214DEareenhancement-modeMOSFETsdesignedforhighspeedlow-glitchswitchinginaudio,video, andhigh-frequencyapplications.TheSD214DEisnormallyusedfor±10-Vanalogswitching.TheseMOSFETsutilizelateral constructiontoachievelowcapacitanceandult	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR

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产品属性

产品编号：
SCRN210R-F
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
SCR
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - AC：
200Vpk
介电材料：
纸，金属化
工作温度：
-40°C ~ 80°C
安装类型：
机架安装，需要支架/托架
封装/外壳：
径向，Can
大小 / 尺寸：
3.660" 长 x 1.970" 宽（92.96mm x 50.04mm），唇状
高度 - 安装（最大值）：
5.810"（147.57mm）
端接：
螺纹，公头
引线间距：
1.380"（35.05mm）
应用：
换向，高频，开关式，高脉冲，DV/DT
描述：
CAP FILM 50UF 10% 200VPK RADIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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