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SC5510E中文资料集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片数据手册SouthChip规格书

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厂商型号

SC5510E

功能描述

集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片

制造商

SouthChip Southchip Semiconductor Technology Co., Ltd.

中文名称

南芯科技 上海南芯半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-12 12:09:00

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SC5510E规格书详情

描述 Description

SC5510E是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510E只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5510E特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510E的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。

特性 Features

单节锂离子/聚合物电池保护芯片

成本低,易于设计,只需要一个电容和电阻

精确的延时电路

充电过压保护及释放

放电过压保护及释放

充电过流保护

放电过流保护

负载短路保护

支持0V电池充电功能

电池反充保护

集成超低Rdson MOSFET (9 mΩ,VM-GND)

低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)

热关断

采用2mm * 2mm DFN封装

技术参数

  • 制造商编号

    :SC5510E

  • 生产厂家

    :SouthChip

  • VOCV hys. (mV)

    :200

  • VODV (V)

    :2.5

  • VODV hys. (mV)

    :400

  • tDOC1 (ms)

    :8

  • tCOC (ms)

    :8

  • tOCV (ms)

    :128

  • tODV (ms)

    :40

  • Support cell

    :1

  • Rsson(mΩ)

    :9

  • IODC(A)

    :7

  • IOCC(A)

    :6

  • 0V charging

    :√

  • Package

    :DFN 2x2-8L

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