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AOB20C60	文件：79.68 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB20C60P	文件：332.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOB20C60PL	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60	文件：79.65 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60P	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60P	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60P	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60	文件：79.64 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60P	文件：296.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF20C60P	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60PL	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DSB20C60PN	文件：97.25 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
F20C60A	文件：605.88 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
F20C60A	文件：760.47 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualCommonAnodeFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SC20C60供应商更新时间2024-6-6 14:14:00

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