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SBE002-TL-E	文件：726.7 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features • Low forward voltage (VF max=0.55V) • Fast reverse recovery time (trr max=10ns) • Low switching noise • Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure • Ultrasmall package, permitting SBE002-applied sets to be compact and slim (mounting height 0.9mm 文件：726.7 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE002-TL-W	文件：726.7 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode Features • Low forward voltage (VF max=0.55V) • Fast reverse recovery time (trr max=10ns) • Low switching noise • Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure • Ultrasmall package, permitting SBE002-applied sets to be compact and slim (mounting height 0.9mm 文件：726.7 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBE002-TL-W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 50V 1A 6CPH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SCG002	文件：177.82 Kbytes Page：4 Pages	InGaP HBT Gain Block 文件：177.82 Kbytes 页数：4 Pages	WJCI	WJCI
SCG002	文件：127.3 Kbytes Page：4 Pages	InGaP HBT Gain Block 文件：127.3 Kbytes 页数：4 Pages	WJCI	WJCI
SCG002B-G	文件：127.3 Kbytes Page：4 Pages	InGaP HBT Gain Block 文件：127.3 Kbytes 页数：4 Pages	WJCI	WJCI

产品属性

产品编号：
SBE002-TL-W
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
52pF @ 10V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
6-CPH
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 50V 1A 6CPH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBE002-TL供应商更新时间2025-11-1 9:18:00

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