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SBAS16LT1G	文件：86.2 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode SwitchingDiode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS16LT1G	文件：126.78 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBAS16LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 100V 200MA SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16LT1	文件：50.59 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAS16LT1	文件：45.32 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16LT1	文件：79.31 Kbytes Page：4 Pages	CASE31808,STYLE8SOT23(TO236AB) SwitchingDiode	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BAS16LT1	文件：61.75 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SOT-23Plastic-EncapsulatedDiodes FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS16LT1	文件：53.61 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS16LT1	文件：2.24617 Mbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
BAS16LT1	文件：306.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes Features ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●MoistureSensitivityLevel1	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

产品属性

产品编号：
SBAS16LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

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