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SB020	文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-0.6Ampere FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedro	GE GE Industrial Company	GE
SB020	文件：47.17 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:0.6A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SB020	文件：353.74 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureSchottkyBarrierRectifier FEATURES ●Guardringforovervoltageprotection ●Verysmallconductionlosses ●Extremelyfastswitching ●Lowforwardvoltagedrop ●Highfrequencyoperation ●Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ● Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB020	文件：71.14 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureSchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB020	文件：101.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:20TO40VCURRENT:0.6A VOLTAGE:20TO40VCURRENT:0.6A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SB020	文件：668.47 Kbytes Page：2 Pages	MiniatureSchottkyBarrierRectifiers Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0utilizingFlameretardantepoxymoldingcompound ●1.0ampereoperationatTL=90withnothermalrunaway ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,andpolarityprotectionapplication	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SB020	文件：262.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:0.6A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
SEF020	文件：71.71 Kbytes Page：1 Pages	6.1x2.6x2.6mm(2410)	CONQUER Conquer Electronics Co., Ltd.	CONQUER
SEH020	文件：302.73 Kbytes Page：1 Pages	10.1x3.1x3.1mm(4012)	CONQUER Conquer Electronics Co., Ltd.	CONQUER
SEL020	文件：315.7 Kbytes Page：1 Pages	10.1x3.1x3.1mm(4012)	CONQUER Conquer Electronics Co., Ltd.	CONQUER
SHM-020	文件：2.1802 Mbytes Page：2 Pages	EXTERNAL??TAMPERPROOF	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SIHFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIHFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR020	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR020	文件：1.05947 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRFR020,SiHFR020) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR020T	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SAD020供应商更新时间2024-9-24 16:00:00

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