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S9012Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车电子-小信号三极管	YJ 益嘉源	YJ
S9012T	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W Tamb=25°C Collector current ICM: -0.5 A Collector-basevoltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range Tj,Tstg: -55°C to+150°C 文件：95.56 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9012W	文件：1.1333 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323T Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.1333 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9012W	文件：1.85073 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to S9013W Excellent hFE linearity 文件：1.85073 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

技术参数

Polarity：
PNP
PCM (mW)：
300
VCBO (V)：
-40
VCEO (V)：
-25
VEBO (V)：
-5
hHE Min：
120
hHE Max：
400
VCE (V)：
-1
IC (mA)：
-50
VCE(sat) (V)：
-0.6
IC(mA)：
-500
IB(mA)：
-50
FT (MHz)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	S9012SOT-23H档(200-350)	CJ			63		询价
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更多S9012Q供应商更新时间2025-11-1 14:02:00

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