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S7319	文件：123.64 Kbytes Page：1 Pages	7 watt; Torpedo Compact Fluorescent; 5000K; 82 CRI; Candelabra base; 120 volts	SATCO SATCO	SATCO
7319	文件：183.71 Kbytes Page：1 Pages	LOCKWASHERTERMINALLUG	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
AUIRF7319Q	文件：261.91 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF7319Q	文件：371.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF7319QTR	文件：371.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF7319QTR	文件：261.91 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
C7319	文件：25.88 Kbytes Page：2 Pages	PREAMPLIFIERUNIT TheC7319whichfurnishescurrent-to-voltageconversioncircuitisdesignedforusewithcurrentsourceslikephotomultipliertubes.TheC7319hasthreeswitchableconversionratios;105,106and107voltsperampereandalsohastwoswitchablebandwidthselections.Theperformancesareconvenient	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
FAN7319	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN7319M	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FAN7319MX	文件：1.9729 Mbytes Page：23 Pages	LCDBacklightInverterDriveIC Description TheFAN7319isaLCDbacklightinverterdriveICthatcontrolsN-Npush-pulltopologyorN-Nfull-bridgetopologyusingaproprietaryphase-shiftmethod. TheFAN7319providesalow-costsolutionandreducesexternalcomponentsbyintegratingfull-waverectifiersforopen-lampprotect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF7319	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	DualNPChannelMOSFET Features N-Ch: eVos(v)=30V ®Rosony)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7319	文件：137.16 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319PBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319PBF	文件：224.22 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7319TR	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	DualNPChannelMOSFET Features N-Ch: eVos(v)=30V ®Rosony)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRF7319TRPBF	文件：1.44745 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7319TRPBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GenarafionVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
KRF7319	文件：68.3 Kbytes Page：3 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MAX7319	文件：214.08 Kbytes Page：14 Pages	I2CPortExpanderwithEightPush-PullOutputs	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX7319	文件：213.16 Kbytes Page：17 Pages	I2CPortExpanderwith4Push-PullOutputs	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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更多S7319供应商更新时间2024-5-24 16:16:00

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