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S4906WBFNM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 天线描述：RF ANT 5GHZ WHIP STR N MALE CONN	TE Connectivity Laird TE Connectivity Laird	TE Connectivity Laird
4906	文件：1.09623 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4906	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4906-S	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AO4906	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4906	文件：1.78577 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4906L	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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CDLL4906A	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
FTK4906	文件：806.44 Kbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK4906D	文件：1.08228 Mbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK4906Z	文件：1.157 Mbytes Page：5 Pages	40VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HT4906	文件：579.38 Kbytes Page：11 Pages	Li-ionBatteryCharger	HOTCHIPHotchip Technology Co.,Ltd 华芯深圳市华芯科技有限公司	HOTCHIP
KO4906	文件：1.78577 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LA4906	文件：362.98 Kbytes Page：10 Pages	17-W,2-ChannelBTLAFHigh-EfficiencyPowerAmplifierforCarAudioSystems TheLA4906isaBTLtwo-channelpoweramplifierforuseincaraudiosystems.Itusesasignal-followingswitchingtechniqueinthepowersupplyfortheamplifieroutputstageandanewly-developednonlinearamplifierthatfeaturesnonlinearcharacteristicsinthesignalsystem. Thesefeatu	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LM4906	文件：468.78 Kbytes Page：15 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM4906	文件：1.42982 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM4906	文件：1.0805 Mbytes Page：21 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM4906	文件：1.1156 Mbytes Page：22 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM4906LD	文件：468.78 Kbytes Page：15 Pages	1W,Bypass-Capacitor-lessAudioAmplifierwithInternalSelectableGain	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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产品属性

产品编号：
S4906WBFNM
制造商：
TE Connectivity Laird
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 天线
包装：
散装
频率组：
SHF（f > 4GHz）
频率（中心/带）：
5GHz
频率范围：
4.9GHz ~ 5.85GHz
天线类型：
鞭状，直形
VSWR：
2
增益：
8dBi
端接：
N 型公头
安装类型：
连接器安装
高度（最大值）：
12.000"（304.80mm）
描述：
RF ANT 5GHZ WHIP STR N MALE CONN

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更多S4906WBFNM供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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