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S29PL064J70BFI120

CMOS 3.0 Volt-Only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control

文件:2.31794 Mbytes 页数:100 Pages

spansion

飞索

S29PL064J70BFI120

Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -

Infineon

英飞凌

S29PL064J70BFI122

Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -

Infineon

英飞凌

S29PL064J70BFI120

Package:48-VFBGA;包装:托盘托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29PL064J70BFI120A

Package:48-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

S29PL064J70BFI122

Package:48-VFBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    S29PL064J70BFI120

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    PL-J

  • 包装:

    托盘托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-FBGA(8.15x6.15)

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA

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