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S29GL01GS11FHB020	文件：1.54418 Mbytes Page：108 Pages	1-Gbit (128 Mbyte)/512-Mbit (64 Mbyte)/256-Mbit (32 Mbyte)/128-Mbit (16 Mbyte),3.0 V, GL-S Flash Memory General Description The Cypress® S29GL01G/512/256/128S are MirrorBit® Eclipse flash products fabricated on 65 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns with a corresponding random access time as fast as 90 ns. They feature a Write Buffer that allows a m 文件：1.54418 Mbytes 页数：108 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL01GS11FHB023	文件：1.54418 Mbytes Page：108 Pages	1-Gbit (128 Mbyte)/512-Mbit (64 Mbyte)/256-Mbit (32 Mbyte)/128-Mbit (16 Mbyte),3.0 V, GL-S Flash Memory General Description The Cypress® S29GL01G/512/256/128S are MirrorBit® Eclipse flash products fabricated on 65 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns with a corresponding random access time as fast as 90 ns. They feature a Write Buffer that allows a m 文件：1.54418 Mbytes 页数：108 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL01GS11FHB020	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR 闪存	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL01GS11FHB020	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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产品属性

产品编号：
S29GL01GS11FHB023
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-S
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
60ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（13x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA

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