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S200-50分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

S200-50

参数属性

S200-50 封装/外壳为55HX;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX

功能描述

200 WATTS - 50 VOLTS 30MHZ

封装外壳

55HX

文件大小

156.98 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ETC List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商

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更新时间

2025-11-14 17:47:00

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S200-50规格书详情

[ACRIAN INC]

GENERAL DESCRIPTION

The S200-50 is a common emitter, HF, SSB device intended for operation from a 50 volt supply. It may be operated in Class A, AB or C. The device exhibits excellent linearity and ruggedness.

产品属性

  • 产品编号:

    S200-50

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    110V

  • 频率 - 跃迁:

    1.5MHz ~ 30MHz

  • 增益:

    12dB ~ 14.5dB

  • 功率 - 最大值:

    320W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30A

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    55HX

  • 供应商器件封装:

    55HX

  • 描述:

    RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX

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