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S1G-E3/1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S1G-E3/5AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S1G-E3/61T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GF1G-E3	文件：96.3 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof250°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:F	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
US1G-E3	文件：84.66 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified TY	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
S1G-E3/5AT
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
12pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

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更多S1G-E3供应商更新时间2024-5-4 20:00:00

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