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S10P45L	文件：375.66 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Recitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
S10P45L_17	文件：136.64 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
S10P45U	文件：391.07 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
S10P45U	文件：35.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
SDM10P45	文件：114.01 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LowForwardVoltageDrop •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SDM10P45	文件：79.53 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SDM10P45	文件：61.59 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LowForwardVoltageDrop •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
V10P45	文件：104.58 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P45	文件：90.62 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier HighCurrentDensitySurfaceMount TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.34VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyop	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P45	文件：86.81 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier HighCurrentDensitySurfaceMount TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.34VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyop	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P45S	文件：86.78 Kbytes Page：5 Pages	SMDPhotovoltaicSolarCellProtectionSchottkyRectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •ComplianttoRoHSDirective2002/9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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