| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
19759 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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3000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYPowerPAK-1212-8 |
3000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK 1212-8 |
62630 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
7553 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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VISHAYQFN8 |
8888888 |
21+ |
全新原装现货价格优惠可开票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAYna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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VishayVishayMOSFETs |
100000 |
NEW- |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/ |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
100 |
13+ |
进口原装现货询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
5389 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN |
6528 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
19759 |
18+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK1212-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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VISHAYQFN8 |
23569 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSMD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
SI7818采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7818图片
SI7818DN-T1-GE3价格
SI7818DN-T1-GE3价格：￥3.6008品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7818DN-T1-GE3多少钱，想知道SI7818DN-T1-GE3价格是多少？参考价：￥3.6008。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7818DN-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7818DN-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7818DN-T1-GE3报价。
SI7818DN-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7818制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7818DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI7818DN-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7818DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
