RW3N150RJ资料使用说明书供应价格-114ic电子网

首页 >RW3N150RJ>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
3N150S	文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM3N150A	文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3N150F	文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ISH3N150	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on):	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA3N150HV	文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N150	文件：113.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH3N150	文件：371.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTJ3N150	文件：165.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ3N150M	文件：180.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
STFV3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFW3N150	文件：347.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP3N150	文件：306.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW3N150	文件：347.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

12 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RW3N150RJ	KOA SPEER		2P	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	RW3R0DB100RJ	Ohmite	2021++	6327	7800	进口原装假一赔百,现货热卖	询价
深圳市惊羽科技有限公司	RW3R0DB100RJ	OHMITE	24+25+/26+27+	车规-被动器件	2416	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	RW3R0DB100RJ		23+	N/A	65700	一级代理放心采购	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	RW3R0DB100RJET	Ohmite	2010+	N/A	2000	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
标准国际(香港)有限公司	RW3R0DB10R0FT	Ohmite	2003		1200	公司优势库存热卖中!!	询价
深圳市科雨电子有限公司	RW3R0DB10R0JE	OHMITE	20+	电阻器	2683	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多RW3N150RJ供应商更新时间2024-6-25 16:56:00

相关规格书

相关库存