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RTR030P02	文件：104.74 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TV；Package：TSMT3；Switching (-20V, -3.0A) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). Application Power switching, DC / DC converter. Structure Silicon P-channel MOS FET 文件：104.74 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Pch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •2.5V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02TL	文件：464.93 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：464.93 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RTR030P02TL	文件：787.17 Kbytes Page：8 Pages	丝印：TV；Package：TSMT3；SILICON P-CHANNEL MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). Application Power switching, DC / DC converter. Structure Silicon P-channel MOS FET 文件：787.17 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02FHA	文件：1.21186 Mbytes Page：8 Pages	2.5V Drive Pch MOSFET 文件：1.21186 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02HZG	文件：2.73245 Mbytes Page：15 Pages	丝印：TV；Package：TSMT3；Pch -20V -3A Small Signal MOSFET 文件：2.73245 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02FHA	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •2.5V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RTR030P02HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -20V -3A 车载小信号MOSFET RTR030P02HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications. • Low on-resistance\n• Built-in G-S protection diode\n• Small surface mount package(TSMT3)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.0)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-20
Drain Current ID[A]：
-3.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.09
Total gate charge Qg[nC]：
9.3
Power Dissipation (PD)[W]：
1.0
Drive Voltage[V]：
-2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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技术参数

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