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RTM	文件：1.20053 Mbytes Page：2 Pages	M18 Ultra short tubular type Photo sensor 文件：1.20053 Mbytes 页数：2 Pages	FOTEK 阳明电机	FOTEK
RTM002P02	文件：78.57 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TW；Package：VMT3；2.5V Drive Pch MOS FET Structure Silicon P-channel MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). 3) 2.5V drive. 文件：78.57 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTM002P02	文件：82.56 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Structure Silicon P-channel MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). 3) 2.5V drive. 文件：82.56 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTM002P02T2L	文件：82.56 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Structure Silicon P-channel MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). 3) 2.5V drive. 文件：82.56 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTM010S	文件：355.39 Kbytes Page：2 Pages	Widest range of geometrics and sizes Covers all standard applications. Benefits Widest range of geometrics and sizes Covers all standard applications. One tool meets all operational needs. Active tip technology Fastest heat-up and recovery time, sensor close to the solder tip, excellent heat transfer. No downtime, continuing workflow, excellent results Digit 文件：355.39 Kbytes 页数：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RTM2301CX	文件：465.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.63 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RTM2302	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ◇ Advanced trench process technology ◇ High density cell design for ultra low on-resistance ◇ Excellent thermal and electrical capabilities ◇ Compact and low profile SOT-23 package 文件：187.22 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
RTM2302CX	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ◇ Advanced trench process technology ◇ High density cell design for ultra low on-resistance ◇ Excellent thermal and electrical capabilities ◇ Compact and low profile SOT-23 package 文件：187.22 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
RTMBF305	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER High Surge Current Capability Glass Passivated Die Construction Designed for Surface Mount Application Features Low Forward Voltage Drop High Current Capability Plastic Material – UL Flammability 94V-O 文件：256.269 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
RTMBF31	文件：256.269 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER High Surge Current Capability Glass Passivated Die Construction Designed for Surface Mount Application Features Low Forward Voltage Drop High Current Capability Plastic Material – UL Flammability 94V-O 文件：256.269 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

技术参数

功率（W）：
2
隔离：
隔离
输入电压（V）：
5
主输出电压（V）：
5
输出路数：
单路
输出电流 1 (mA)：
400
隔离电压 (kV)：
2
安装类型：
SMD
封装类型：
SMD
长度 (mm)：
18
宽度 (mm)：
8.7
高度 (mm)：
7.15
认证：
EN 60601-1
保护功能：
SCP
指令：
RoHS 2 (6/6)
包装类型：
管装&卷装
卷带宽度 (mm)：
32
输出类型：
非稳压

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深圳市一线半导体有限公司	RTM862-430		24+	SOP	26		询价
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