Complete DDR Memory Power Supply Controller

Features PWM Controller  Adjustable Current Limit with Low-Side RDS(ON) Sensing  Low Quiescent Supply Current  Quick Load-Step Response within 100ns  1 VVDDQ Accuracy Over Line and Load  Adjustable 0.675V to 3.3V Output Range for 1.8V (DDR2), 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3),

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丝印：5E；Package：WQFN-20L；Complete DDR Memory Power Supply Controller

Features PWM Controller  Adjustable Current Limit with Low-Side RDS(ON) Sensing  Low Quiescent Supply Current  Quick Load-Step Response within 100ns  1 VVDDQ Accuracy Over Line and Load  Adjustable 0.675V to 3.3V Output Range for 1.8V (DDR2), 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3),

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DDR 内存电源供应控制器

RT8248A为DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4内存系统提供了完整的电源供应，其中集成了一个同步Buck架构的PWM控制器和一个具有1.5A电流吐纳能力的追踪型线性稳压器，还有一个经过缓冲处理的低噪声参考电压源。\n\n其中的PWM控制器为笔记本电脑的RAM内存部分提供了将电池高电压转换为低压供电的高效率方案，具有优异的瞬态响应能力和极高的输出电压精度。它所采用的固定导通时间PWM控制架构能很容易地面对很宽的输入/输出电压比率范围，能在维持相对稳定的工作频率情况下以快达100ns的实时响应能力对负载瞬变做出回应。\n\nRT8248A抛弃了传统电流模式PWM • PWM 控制器►下桥 RDS(ON) 电流检测，电阻可程序设计电流限制 ►低静态电流 ►100ns快速步阶负载响应 ►全输入电压/负载范围内的1% VOUT 精度►1.8V(DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V(DDR3L)、1.2V(LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)固定电压输出或0.675V~3.3V可调电压输出►电池电压输入范围：4.5V~26V►电阻可程序设计工作频率►过压/欠压保护►软启动期间有内部电流限制斜波►具备驱动大功率同步整流 MOSFET 的能力►电源状态指示\n• 1.5A 线性稳压器（ VTT ），带缓冲的参;

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Package：20-WFQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CTRLR DDR WQFN-20

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