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RT3U33M	文件：171.05 Kbytes Page：5 Pages	Composite Transistor DESCRIPTION RT3U33MisacompositetransistorbuiltwithINK0003AXandINJ0003AXchipsinSC-88package. FEATURE ◾Inputimpedanceishigh,andnotnecessarytoconsideradrive electriccurrent. ◾Vthislow,anddrivebylowvoltageispossible.Vth=0.6～1.2V ◾LowonResistance.Ron=0.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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Composite Transistor

DESCRIPTION RT3U33MisacompositetransistorbuiltwithINK0003AXandINJ0003AXchipsinSC-88package. FEATURE ◾Inputimpedanceishigh,andnotnecessarytoconsideradrive electriccurrent. ◾Vthislow,anddrivebylowvoltageispossible.Vth=0.6～1.2V ◾LowonResistance.Ron=0.

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