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RT2N20M	文件：53.17 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION RT2N20Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=4.7KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
2N20	文件：68 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
EMDA2N20A	文件：252.63 Kbytes Page：6 Pages	N‐ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA2N20F	文件：206.22 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS200V RDSON(MAX.)120mΩ ID18A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM2N20	文件：582.38 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2N20MR	文件：928.17 Kbytes Page：6 Pages	200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2N20R	文件：1.041 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
MPT2N20	文件：148.52 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.5A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ●LOWRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●SiliconG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTD2N20	文件：191.08 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2N20	文件：345.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
RT2N20M
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	RT2N20M	ISAHAYA	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
艾睿国际（香港）有限公司	RT2N20M-T111-1	ISAHAYA	2447	SOT-353	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多RT2N20M供应商更新时间2025-5-24 9:03:00

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