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RT2N12M	文件：54.47 Kbytes Page：3 Pages	COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION RT2N12Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=4.7KΩ,R2=47KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
2N12	文件：65.019 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFP2N12	文件：35.2 Kbytes Page：5 Pages	2A,120Vand150V,1.750Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP2N12L	文件：938.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFP2N12L	文件：35.35 Kbytes Page：5 Pages	2A,120V,1.750Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET TheRFP2N12LisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspec	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
RT2N12M
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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