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RT2N03M	文件：56.22 Kbytes Page：3 Pages	COMPOUND TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION RT2N03Misacompoundtransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
2N03	文件：241.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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RT2N03M

文件：56.22 Kbytes

Page：3 Pages

COMPOUND TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

DESCRIPTION RT2N03Misacompoundtransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

谏早电子谏早电子株式会社

ISAHAYA

2N03

文件：241.39 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
RT2N03M
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
COMPOUND TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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更多RT2N03M供应商更新时间2025-5-3 9:02:00

详细参数

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