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RT1A050ZP	文件：220.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YH；Package：TSST8；1.5V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：220.1 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RT1A050ZP	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。・低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
A1A050TW	文件：675.5 Kbytes Page：2 Pages	FORMULA UL Molded Case Circuit Breakers 文件：675.5 Kbytes 页数：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
D1A050D	文件：32.21 Kbytes Page：1 Pages	DIP REED RELAY Features Molded epoxy body DIP type construction with the same terminal pitch as ICs or TTLs simplifies PC board designing. In addition, the high sensitivity allows direct driving by TTL, etc. Automatic insertion compatible Sealed construction permits automatic flow soldering and clean 文件：32.21 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)：
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.048
Total gate charge Qg[nC]：
34.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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