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PHP130N03T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

RLW130N03

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

RMW130N03

4.5VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RMW130N03

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

RQA130N03

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSS130N03

4VDriveNchMOSFET

Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSS130N03

Switching(30V,13A)

●Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). ●Application Powerswitching,DC/DCconverter. ●Structure SiliconN-channel MOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSS130N03HZG

Nch30V13APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

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更多RSS130N03FRA供应商 更新时间2025-7-20 14:13:00