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RSFD1902C

薄膜体声波谐振器(FBAR)

ROFSMICRO

诺思微系统

SI1902CDL

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:236.15 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI1902CDL

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:240.33 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SI1902CDL

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switch and DC/DC converter for portable devices • High speed switching

文件:141.21 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

技术参数

  • 产品类型:

    B25 Duplexer

  • 频率范围(MHZ):

    TX

  • 封装尺寸(MM):

    1.8x1.4x0.61

  • 状态:

    Development

  • 推出时间:

    2020.12

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
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ROFS
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全新、原装
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ROFS(诺思)
2021+
SMD1.8x1.4x0.61mm
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68000
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SUBSMA
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更多RSFD1902C供应商 更新时间2025-10-6 11:10:00