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RS85N150S

85V N Channel MOSFET; • VDS =85V,ID =150A \n• RDS(ON) < 3.4mΩ @ VGS = 10V \n• 极低的导通电阻\n• 100%的UIS测试\n;

RS85N150S是一款低压N沟道场效应晶体管,该产品具有超低内阻和较低的栅极电容,很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于电源管理、同步整流、电机驱动等领域。

REASUNOS

瑞森半导体瑞森半导体科技(湖南)有限公司

技术参数

  • ID(A):

    150

  • VDSS(V):

    85

  • RDS(on) Typ(mΩ):

    2.8

  • RDS(on) Max(mΩ):

    3.4

  • Vth(V):

    2.0-4.0

  • Application:

    锂电保护/同步整流/电机驱动

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更多RS85N150S供应商 更新时间2025-7-28 9:08:00