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RS4N90F数据手册REASUNOS中文资料规格书

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厂商型号

RS4N90F

功能描述

900V N Channel MOSFET

制造商

REASUNOS

中文名称

瑞森半导体 瑞森半导体科技(湖南)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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RS4N90F规格书详情

描述 Description

RS4N90F是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过特殊的耐压环和晶胞设计,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源,智能电表,工业开关电源,电力系统等。

特性 Features

VDS =900V,ID =4A
RDS(ON) <3.5Ω @ VGS = 10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
100%的UIS测试

技术参数

  • 制造商编号

    :RS4N90F

  • 生产厂家

    :REASUNOS

  • ID(A)

    :4

  • VDSS(V)

    :900

  • RDS(on) Typ(Ω)

    :3

  • RDS(on) Max(Ω)

    :3.5

  • Application

    :AC/DC开关电源/LED照明/工业开关电源/电力系统

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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