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25N50A	文件：978.81 Kbytes Page：6 Pages	25A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
FMH25N50ES	文件：495.6 Kbytes Page：2 Pages	ThisnewpowerMOSFETrealizedthelowswitchinglossandlowswitchingnoise	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FSW25N50C	文件：1.81261 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI20A,500VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HM25N50	文件：648.54 Kbytes Page：9 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ISC25N50F	文件：294.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV25N50E	文件：280.19 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET25AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.200OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTV25N50E	文件：297.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA25N50E	文件：173.63 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA25N50E	文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB25N50E	文件：208.67 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS •Hards	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG25N50E	文件：444.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG25N50E	文件：185.25 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP25N50E	文件：286.62 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATONS •Hard	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP25N50E	文件：328.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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