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RS1G1	文件：796.39 Kbytes Page：12 Pages	Series 8016 . .075 x .130 x .150 Grid Pattern 文件：796.39 Kbytes 页数：12 Pages	AVX	AVX
RS1G120MN	文件：2.5779 Mbytes Page：13 Pages	Nch 40V 34A Power MOSFET 文件：2.5779 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS1G150MN	文件：2.65202 Mbytes Page：14 Pages	Nch 40V 43A Power MOSFET 文件：2.65202 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS1G180MN	文件：2.55104 Mbytes Page：14 Pages	Nch 40V 57A Power MOSFET 文件：2.55104 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS1G150MN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 40V 43A 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on-resistance\n• High power package (HSOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
RS1G16Z3DK-62DT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR4	Rayson 晶存科技	Rayson
RS1G16Z4DD-62DT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR3/4	Rayson 晶存科技	Rayson

技术参数

封装：
HSOP8 (Single)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8S (5x6)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
40
Drain Current ID[A]：
34
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0156
Total gate charge Qg[nC]：
4.4
Power Dissipation (PD)[W]：
25
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.1)

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更多RS1G1供应商更新时间2025-10-6 14:16:00

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